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14 天
三星宣布2026年推出HBM4E,0a nm DDR内存2027年问世
近日,三星电子DS部门的存储器业务总裁兼总经理李祯培在台湾地区的一场行业活动中,公开了三星未来的内存产品规划路线图,引发了业界的广泛关注。据李祯培透露,三星计划在2026年推出下一代高性能内存HBM4E,并在随后的2027年,突破10纳米制程限制,进入更精细的0a纳米工艺阶段,推出48Gb单颗容量的新一代DDR内存芯片。
16 小时
江波龙:两款自研主控芯片已实现超千万颗规模化产品导入
IT之家 9 月 19 日消息,江波龙日前在接受机构调研时透露,在主控芯片领域,公司两款自研主控芯片(WM6000、WM5000)已经批量出货, 并已经实现了超千万颗的规模化产品导入 。此外,江波龙还推出了 eMMC 和 SD ...
11 天
存储芯片风云:涨价与国产崛起,HBM领衔
【AI 热潮下存储芯片价值攀升,各类产品盈利情况引关注】在 AI 风靡的当下,数据规模爆发式增长,存储芯片作为数据关键承载者价值上扬。存储芯片产品品类众多,其盈利状况成为业界焦点,为此需先对产品品类细分。 存储芯片按功能、读取数据方式及数据存储原理,可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片(ROM)。RAM 断电后数据丢失,用于临时存储,代表产品有 DRAM 和 SRAM。ROM 断电仍能长期存数据 ...
电子工程专辑
24 天
DDR拓扑结构的详细解析
在进行多片DDR的处理时我们应该尽可能的选择菊花链拓扑结构,但需要注意的是,采用菊花链拓扑结构传输信号时,负载之间有延时,信号不能同时到达负载端,所以在此基础之上在采用此种拓扑结构的时候需要留意主控芯片是否支持读写平衡,如果不支持读写 ...
13 天
三星电子大跃进:2024推1cnm制程DDR,2026直逼1dnm工艺!
【ITBEAR】9月6日消息,三星电子正致力于研发新一代DDR内存技术,该技术预计在2024年面世,将采用先进的1cnm制程工艺。据悉,这一技术突破将支持高达32Gb的颗粒容量,为内存市场带来前所未有的存储能力。
11 天
on MSN
存储芯片:涨价潮与国产公司业绩飘红,HBM崛起
【AI 时代存储芯片价值攀升,各类产品盈利情况备受关注】在 AI 风靡的当下,数据规模暴增,存储芯片作为数据关键承载者,价值不断上扬。存储芯片有多种品类,其盈利状况是业界焦点。 存储芯片可细分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片(ROM)。RAM ...
8 天
最高支持7200MT/s等效速率 Rambus针对PC市场推出DDR5 CKD产品
在快速整合之后,Rambus也迅速转向了DDR4业务,并在之后专注于符合JEDEC标准的DDR5早期研发。Rambus率先在市场上推出了完整的DDR5 ...
来自MSN
11 天
存储芯片,这一品类最赚钱
文|半导体产业纵横 在 AI 风靡的当下,数据规模呈爆炸式增长,而存储芯片作为数据的关键承载者,其价值不断攀升。
至顶头条 on MSN
10 天
什么样的内存更适合AIPC?
“Rambus 正在利用其广泛的服务器内存专业知识来满足不断增长的客户端 PC 需求,尤其是 AIPC。
36氪
22 天
半年出口5000多亿,中国芯片正在崛起
据海关总署数据显示:2024年前七个月,中国芯片出口总额达到6409.1亿元,超过汽车、手机、家电等传统出口项目,仅次于船舶,是国内第二大出口 ...
电子工程专辑
23 天
小鹏汽车自研智能驾驶芯片流片成功,一颗顶友商三颗
据36氪汽车等多家媒体报道,小鹏汽车自研的智能驾驶芯片专为AI需求和端到端大模型设计,具备强大的中央计算架构能力。该 ...
国际电子商情
28 天
AI芯片和HBM需求强劲,Q3全球IC销售额可望增长29%
国际电子商情22日讯 市调机构在最新报告称,虽然季节性因素和弱于预期的消费需求影响了2024年上半年的电子产品销售,导致 ...
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